Sensory BSI CMOS – ekspansja trwa

Ostatnie tygodnie przynoszą coraz więcej zapowiedzi dotyczących sensorów BSI CMOS (back side illumination). Po pionierach we wprowadzaniu nowej technologii, czyli firmach OmniVision i Sony, przyszedł czas na dwóch kolejnych znanych graczy na rynku elektroniki użytkowej. Niespełna dwa tygodnie temu mieliśmy okazję usłyszeć deklarację przedstawicieli Samsunga, a teraz do grupy producentów rozwijających nowe możliwości dołączyła także Toshiba.

Graficzny schemat przedstawiający różnice konstrukcyjne sensorów typu FSI i BSI

Już wkrótce mają się pojawić pierwsze dostawy matryc Toshiby, o rozdzielczości 14,6 Mpix (rozmiar 1/2,3 cala) skonstruowanych w nowej technologii. Samsung planuje uruchomić masową produkcję swojej wersji podzespołów nie później niż w 2010 roku. Przypomnę jeszcze, że jedną z największych zalet nowej technologii, jest wyższy poziom czułości sensorów. Osiągnięto to poprzez zmianę kolejności warstw konstrukcyjnych – krzem trafił bezpośrednio pod filtr kolorów podstawowych, co jednocześnie implikuje zwiększenie poziomu szumów cyfrowych. Sam pomysł nie jest nowy, jednakże dotychczas, ze względu na koszty produkcji unikano tego rozwiązania.

Źródło: Samsung, Toshiba, DCViews